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Hitachi

株式会社 日立パワーソリューションズ受託分析サービス一覧

サービスの概要

表面・粒界の析出・介在物分析、不純物分析、表面の酸化・吸着・汚染状態、表面化合物の構造解析、深さ方向の元素分析、全元素の定性・定量分析が可能です。

オージェ電子分光分析(AES)
表面・粒界の析出・介在物分析、不純物分析
X線光電子分光分析(XPS)
表面の酸化・吸着・汚染状態、表面化合物の構造解析
高周波グロー放電発光分光分析(rf-GD-OES)
深さ方向の元素分析、全元素の定性・定量分析

主な装置・仕様・適用分野

オージェ電子分光分析装置(AES)

オージェ電子分光装置外観

オージェ電子分光装置外観

物質の表面・粒界部の析出・介在物分析や不純物の分析に適用されます。

二次電子像を観察しながら、微小領域、極表面の組成分析ができます。イオン銃を併用することによって、表面から深さ方向の組成の変化をモニタリングできます。

仕様

  • 電子銃:フィールドエミッション型
  • 最小ビーム径:6nm
  • 分析器:CMA
  • 走査像:二次電子像
  • 分析モード:点分析、線分析、面分析
  • 試料冷却破断機構搭載

特長

  • 検出元素:3Li〜92U
  • 極表面分析:1〜2nm(イオン銃の併用によって深さ分析が可能)
  • 微小部分析:φ 10nm

適用分野

  • 金属、セラミックスの微小析出物、介在物の組成、分析
  • 金属の酸化膜厚および多層膜の相互、拡散評価
  • 金属、セラミックスの粒界破面分析

試料

  • 〜35mm□ 12mm厚 以下
  • 〜50mmφ 12mm厚 以下
  • 冷却破断用:ノッチ丸棒(定形サイズに加工)

X線光電子分光分析装置(XPS)

X線光電子分光分析装置(XPS)外観

物質の表面の酸化・吸着・汚染状態の解析および表面化合物の結合状態解析に用いられます。

光電子スペクトルやX線励起のオージェスペクトルの波形解析によって、極表面の組成分析や結合状態分析が可能です。

仕様

  • X線源:Al (モノクロメータ搭載)
  • 分析室到達真空:6.7×10-8Pa以下
  • 最少ビーム径:10μm以下
  • X線スキャン範囲:最大1.4mm□
  • エネルギー分解能:0.5eV以下(Ag 3d5/2)

特長

  • 検出元素 :3Li〜92U
  • 極表面分析:1〜2nm
    (イオン銃の併用で深さ方向分析可)

適用分野

  • 金属材料の表面酸化、吸着、汚染状態の評価
  • 金属-半導体界面の中間反応層の化学構造解析
  • 有機化合物の化学構造解析
  • 非晶質材および表面化合物の構造解析
  • ガラスなどの絶縁物試料の組成分析

試料

    基本試料サイズ
  • 〜35mm□ 8mm 厚以下
  • 〜50mmφ 8mm 厚以下

高周波グロー放電発光分光分析(rf-GD-OES)

高周波グロー放電発光分光分析(rf-GD-OES)外観

従来の深さ方向分析装置に比べて測定時間が数分〜数十分と短く、最大分析深さが100µm程度まで可能です。

金属材料だけでなく、非導電性材料(ガラスやセラミックなど)や有機材料など各種材料の測定が可能です。

特長

  • 検出元素:H 〜 U 最大35元素
  • 表面分析:深さ方向 数nm〜100µm程度(材料による)
  • 広領域分析:分析領域 φ4 mm、φ2mm

適用分野

  • 各種材料の成分分析
  • 多層膜、めっき、コーティングの組成分析
  • 皮膜や薄膜の厚み評価
  • 表面変色部の調査
  • 電池の電極層の元素分布 etc.

試料

    基本試料サイズ
  • 金属材料:φ10mm〜φ300mm、70mm厚以下
  • 有機材料:φ10mm〜φ300mm、
         数mm厚以下(材料による)
  • 非導電性材料:φ10mm〜300mm、
           数mm厚以下(材料による)