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Hitachi

株式会社 日立パワーソリューションズ受託分析サービス一覧

サービスの概要

Arスパッタリングにより試料表面から原子を弾き出し、励起させ生じた発光を分光測定することにより深さ方向の元素分析ができる装置です。
従来の表面分析装置より迅速に最大100μm程度まで評価可能です。また検出濃度範囲が広いため主成分から微量成分まで同時に評価することができます。

特長

多元素同時定性・半定量分析 : H〜U 最大35元素

深さ分析 : 数nm〜100μm(試料による) 

高感度分析 : 検出下限 数十ppm(元素による)

広領域分析 : 分析領域φ4mm、φ2mm

導電性材料だけでなく非導電性材料(ガラス、セラミックス、有機材料)も測定可能

スパッタリングレート膜厚換算が可能

適用分野

  • 多層膜、めっき、コーティングの深さ方向の元素分布や界面評価
  • 皮膜や薄膜、表面処理層の厚み評価
  • 電池電極層の元素分布評価
  • 金属材料中の深さ方向のH分布評価
  • 表面変色部の調査
  • 雰囲気や熱による表面変化および熱拡散評価

主な装置・仕様

高周波グロー放電装置発光分光分析装置

装置仕様
装置堀場製作所製 高周波グロー放電発光分光分析装置
(rf- GD-OES)  GD-Profiler2
ランプ型式マーカス型
アノード(分析領域)φ4mmまたはφ2mm
Oリングφ10mm
検出器光電子増倍管
分光器 ポリクロメータ(メイン分光器)
モノクロメータ(サブ分光器)


測定部の外観


測定部の外観(試料導入時)

試料形状
導電性材料
(金属など)
平面試料(基本)
φ10mm〜φ150mm
30mm厚以下
非導電性材料
(セラミックス、ガラス、有機材料)
平面試料(基本)
φ10mm〜φ150mm
1mm厚以下